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BDTIC 产品目录

  1. 嵌入式微控制器和微处理器
    8位单片机
    16 位单片机
    32位ARM核微处理器
    AVR 单片机
    DSP 数字信号处理
    其他专用单片机
  2. 存储器
    非易失性存储器NVRAM
    同步动态存储器SDRAM
    EEPROM 存储器
    Flash 存储器
    其他
  3. 系统管理器件
    监控电路(电压监控器)
    低功耗复位器
  4. Interface 接口器件
    RS-232接口
    RS-485/422接口
    CAN接口
    USB 接口
    LVDS与RF接口
    其他接口
  5. 数据转换器
    模数转换器
    数模转换器
    音频与触摸屏控制器
  6. 电源管理器件
    标准线性电源
    低压差稳压器
    DC/DC转换器
    AC/DC转换器
    电压基准
    电池管理
    PWM控制器
    电源模块与功率器件
    其它
  7. 时钟管理 定时器 计数器
  8. 数字电位器 DCP
  9. 开关器件
  10. 传感器
  11. 可编程逻辑器件
    FPGA 现场可编程逻辑
    CPLD 复杂可编程逻辑器件
    其它 可编程系统器件
  12. 逻辑电路
  13. 其他

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Micron 美光代理商 BDTIC

双通道同步动态随机存储器: SDRAM 同步动态随机存储器 、   DDR 、   DDR2 、   DDR3 、   RLDDRAM
全缓冲内存模组FBDIMM: FBDIMM 、   MiniDIMM 、  

首页Micron 美光双通道同步动态随机存储器DDR3 SDRAM

Micron美光双通道同步动态随机存储器DDR3 SDRAM

Part Density RoHS Depth Width Voltage Package Pin Count Clock Ra Cycle Ti Op. Temp. CL Data Rate
MT41J128M8BY-187 1Gb Yes 128Mb x8 1.5V FBGA 86-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 8 DDR3-1066
MT41J128M8BY-187E 1Gb Yes 128Mb x8 1.5V FBGA 86-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 7 DDR3-1066
MT41J128M8BY-25 1Gb Yes 128Mb x8 1.5V FBGA 86-ball 400 MHz 2.5ns 0C to +8 CL = 6 DDR3-800
MT41J128M8BY-25E 1Gb Yes 128Mb x8 1.5V FBGA 86-ball 400 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 5 DDR3-800
MT41J256M4BY-187 1Gb Yes 256Mb x4 1.5V FBGA 86-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 8 DDR3-1066
MT41J256M4BY-187E 1Gb Yes 256Mb x4 1.5V FBGA 86-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 7 DDR3-1066
MT41J256M4BY-25 1Gb Yes 256Mb x4 1.5V FBGA 86-ball 400 MHz 2.5ns 0C to +8 CL = 6 DDR3-800
MT41J256M4BY-25E 1Gb Yes 256Mb x4 1.5V FBGA 86-ball 400 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 5 DDR3-800
MT41J64M16LA-187 1Gb Yes 64Mb x16 1.5V FBGA 96-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 8 DDR3-1066
MT41J64M16LA-187E 1Gb Yes 64Mb x16 1.5V FBGA 96-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 7 DDR3-1066
MT41J64M16LA-25 1Gb Yes 64Mb x16 1.5V FBGA 96-ball 400 MHz 2.5ns 0C to +8 CL = 6 DDR3-800
MT41J64M16LA-25E 1Gb Yes 64Mb x16 1.5V FBGA 96-ball 400 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 5 DDR3-800

DDR3(Double Data Rate 3)相比起DDR2有更低的工作电压, 从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度,由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。DDR3在DDR2基础上采用的许多新型设计:8bit预取设计,而DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz;采用点对点的拓朴架构,以减轻地址/命令与控制总线的负担;采用100nm以下的生产工艺,将工作电压从1.8V降至1.5V,增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能等等。

Part Density RoHS Depth Width Voltage Package Pin Count Clock Ra Cycle Ti Op. Temp. CL Data Rate
MT41J128M8BY-187 1Gb Yes 128Mb x8 1.5V FBGA 86-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 8 DDR3-1066
MT41J128M8BY-187E 1Gb Yes 128Mb x8 1.5V FBGA 86-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 7 DDR3-1066
MT41J128M8BY-25 1Gb Yes 128Mb x8 1.5V FBGA 86-ball 400 MHz 2.5ns 0C to +8 CL = 6 DDR3-800
MT41J128M8BY-25E 1Gb Yes 128Mb x8 1.5V FBGA 86-ball 400 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 5 DDR3-800
MT41J256M4BY-187 1Gb Yes 256Mb x4 1.5V FBGA 86-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 8 DDR3-1066
MT41J256M4BY-187E 1Gb Yes 256Mb x4 1.5V FBGA 86-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 7 DDR3-1066
MT41J256M4BY-25 1Gb Yes 256Mb x4 1.5V FBGA 86-ball 400 MHz 2.5ns 0C to +8 CL = 6 DDR3-800
MT41J256M4BY-25E 1Gb Yes 256Mb x4 1.5V FBGA 86-ball 400 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 5 DDR3-800
MT41J64M16LA-187 1Gb Yes 64Mb x16 1.5V FBGA 96-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 8 DDR3-1066
MT41J64M16LA-187E 1Gb Yes 64Mb x16 1.5V FBGA 96-ball 533 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 7 DDR3-1066
MT41J64M16LA-25 1Gb Yes 64Mb x16 1.5V FBGA 96-ball 400 MHz 2.5ns 0C to +8 CL = 6 DDR3-800
MT41J64M16LA-25E 1Gb Yes 64Mb x16 1.5V FBGA 96-ball 400 MHz 1.875ns 0C to +8 CL = 5 DDR3-800

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